[发明专利]含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池有效
| 申请号： | 201410426193.7 | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104201220A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨静;赵德刚;陈平;刘宗顺;江德生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括：一衬底；一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心；一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上；一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上；一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层；一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上；一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上；一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。本发明具有增加入射光的吸收，并提高载流子的分离效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 低温 插入 铟镓氮 氮化 多量 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池，包括： 一衬底； 一低温成核层，其制作在衬底上，该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心； 一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温成核层上； 一n型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上； 一非故意掺杂多量子阱层，其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧，另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面，该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层； 一p型掺杂氮化镓层，其制作在非故意掺杂多量子阱层上； 一N型欧姆电极，其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上； 一P型欧姆电极，其制作在p型掺杂氮化镓层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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