[发明专利]磷化铟切割片化学抛光液及磷化铟切割片的位错测定方法有效
| 申请号： | 201410426888.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104181026B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王书杰;孙聂枫;高琳洁;李晓兰;王阳;邵会民;史艳磊;付莉杰;刘新辉;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01N21/84 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磷化铟切割片化学抛光液和磷化铟切割片的位错测定方法，属于半导体晶体材料技术领域。抛光液由磷酸、氢溴酸和双氧水组成。磷化铟切割片的位错测定方法，包括以下步骤：（1）配制化学抛光液，化学抛光液由磷酸、氢溴酸和双氧水组成；（2）将磷化铟切割片放入所述抛光液中进行化学抛光腐蚀，化学抛光腐蚀完毕后取出用水清洗干净，干燥；（3）配制位错腐蚀液：位错腐蚀液由磷酸和氢溴酸组成；（4）将步骤（2）干燥后的切割片放入位错腐蚀液中腐蚀，腐蚀完成后取出用水清洗，干燥，利用显微镜测定位错密度。本发明可以快速测量晶体中的位错密度，操作过程工艺简单，经济高效，不受晶体形状的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 切割 化学抛光 测定 方法 | ||
【主权项】：
一种磷化铟切割片化学抛光液，其特征在于：由磷酸、氢溴酸和双氧水组成；磷酸、氢溴酸和双氧水的体积比为1～3:1～6: 1～4；磷酸质量分数为85%，氢溴酸质量分数为40%，双氧水质量分数为30%。
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