[发明专利]一种提高运算放大器电源抑制比的频率补偿电路

摘要

本发明涉及一种具有提高电源抑制比频率补偿电路的运算放大器，属于模拟集成电路领域。两级运算放大器结构为：偏置电压V_BIAS1为M3和M4管栅极供电，使得M1和M3(M2和M4)构成共源共栅结构。共源共栅的M1、M3和M2、M4构成第一级放大器的差分输入。偏置电压V_BIAS2为M5、M9管栅极供电，M5管是差分输入的尾电流。M8是第二级放大器的输入管，M9是第二级的电流源负载。补偿电容C_c一端接到共栅管M4的源极V₁节点，另一端连接运放输出节点V_O。本发明相比传统米勒补偿电路结构，具有该补偿电路的运算放大器满足频率补偿的同时，还可以提高大约30dB电源抑制比，使得更有利于满足复杂环境应用的要求。

主权项

1.一种提高运算放大器电源抑制比的频率补偿电路，其特征在于运算放大器的输入级由源极相连的晶体管M1和M2组成，而连接到运算放大器的输入级源极的晶体管M5给共源级输入提供偏置电流；二极管连接的晶体管M7的漏极和栅极连接到M6的栅极组成PMOS电流镜作为运算放大器第一级的负载部分，栅极连接到偏置电压VBIAS1的晶体管M3和M4的漏极分别连接到晶体管M7和M6的漏极，M3和M4的源极分别连接到晶体管M1和M2的漏极，组成了共源共栅或者折叠共源共栅结构，提高了输出阻抗；而连接到晶体管M5的偏置电压VBIAS2和输出级的M9晶体管的栅极相连并为第二级输出提供了电流源负载；作为运算放大器的第二级，晶体管M8的栅极连接到M6的漏极，晶体管M9的漏极与晶体管M8的漏极相连作为第二级放大电路的输出；补偿电容Cc的一端接到晶体管M4的源极即V1结点而不是连接到晶体管M8的栅极即V2结点，另一端连接到晶体管M8的漏极即VO结点。