[发明专利]一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410427708.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104157679B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;潘沛霖;陈南庭;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/808 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、背势垒层、氮化镓、势垒层以及绝缘介质层组成，在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在绝缘介质层上形成有栅极，栅极与绝缘介质层形成肖特基接触。本发明通过在栅极正下方沟道区域引入极化强度大于势垒层的背势垒层，使背势垒层和势垒层的极化强度相抵消，起到耗尽栅下沟道的二维电子气的效果，从而实现增强型工作状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 增强 型异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要为衬底(101)，氮化铝(AlN)成核缓冲层(102)，氮化镓沟道层(103)，势垒层(104)和绝缘介质层(105)，在所述势垒层(104)上形成有源极(106)、漏极(107)，在所述绝缘介质层(105)上表面设有栅极(108)，所述源极(106)及漏极(107)均与所述势垒层(104)形成欧姆接触，所述栅极(108)与所述绝缘介质层(105)形成肖特基接触，其特征在于，在所述氮化铝(AlN)成核缓冲层(102)的上表面设有背势垒层(201)；所述势垒层(104)所用材料的极化强度小于或等于所述背势垒层(201)所用材料的极化强度；所述背势垒层(201)的垂直轴线与栅极(108)的垂直轴线重合；所述的背势垒层(201)的长度Lbb满足0＜Lbb＜Lsd，其中Lsd为源漏距。
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