[发明专利]具有异质结构沟道的场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410428055.2 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104835843B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 林建铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了FET结构。在一些实施例中，FET结构包括：异质结构和栅极结构。异质结构包括：第一部分、阻挡部分和第二部分，从而使得第一部分的一部分、阻挡部分和第二部分的一部分形成沟道区，并且第一部分和第二部分中位于沟道区相对两侧的部分分别形成源极和漏极区的至少一部分。当沟道区是p型时，阻挡部分相对于每个第一部分和第二部分都具有正价带偏移，或当沟道区是n型时，阻挡部分相对于每个第一部分和第二部分都具有正导带偏移。栅极结构被配置在沟道区上方。本发明还提供了一种形成FET结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 沟道 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(FET)结构，包括：异质结构，包括：第一部分、阻挡部分和第二部分，从而使得所述第一部分的一部分、所述阻挡部分和所述第二部分的一部分形成沟道区，并且所述第一部分和所述第二部分中位于所述沟道区的相对两侧的部分分别形成源极区的至少一部分和漏极区的至少一部分，所述阻挡部分的带隙与每个所述第一部分和所述第二部分的带隙都重叠，和对于p型场效应晶体管而言，所述阻挡部分相对于每个所述第一部分和所述第二部分都具有正价带偏移，或对于n型场效应晶体管而言，所述阻挡部分相对于每个所述第一部分和所述第二部分都具有正导带偏移；以及栅极结构，被配置在所述沟道区上方；所述异质结构形成悬置在衬底的表面上方的纳米线结构。
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