[发明专利]N型层粗化的LED生长方法有效
申请号: | 201410428148.5 | 申请日: | 2014-08-27 |
公开(公告)号: | CN104157752B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 黄小辉;马刚;蔡武;周德保;康建;梁旭东 | 申请(专利权)人: | 圆融光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种N型层粗化的LED生长方法。该方法包括在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过所述金属源和氨气反应,在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层;在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑,所述V形坑作为粗化的一种形式存在;采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状,在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层,P型层,从而形成完整的LED结构。本实施例无需二次生长,无需对P型层进行改造,不会对芯片制程产生过大影响。 | ||
搜索关键词: | 型层粗化 led 生长 方法 | ||
【主权项】:
一种N型层粗化的LED生长方法,其特征在于,包括:在衬底的上表面通入金属源和氨气,通过所述金属源和氨气反应,在所述衬底的上表面形成无定型的缓冲层;在所述无定型的缓冲层的上表面生长非掺杂层;在所述非掺杂层的上表面生长重掺杂的N型层,其中,所述重掺杂的N型层的上表面形成V形坑,所述V形坑作为粗化的一种形式存在,其中所述重掺杂的N型层的掺杂浓度在1020的数量级;采用纵向生长模式保持所述V形坑的形状,在所述重掺杂的N型层的上表面依次生长低掺N型层、量子阱层、P型层,从而形成完整的LED结构。
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