[发明专利]一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法

摘要

本发明提供了一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，包括：向硅通孔中进行第一次籽晶层淀积过程，在硅通孔中及其顶部外表面形成第一籽晶层；对第一籽晶层进行回流过程，形成具有光滑表面的第一籽晶层；向硅通孔中进行第二次籽晶层淀积过程，在第一籽晶层表面形成第二籽晶层。由于所制备的籽晶层具有光滑的表面，从而为后续的铜电镀提供了有利条件，有效避免了填充的铜内部产生空洞缺陷，提高了铜电镀工艺质量，并保证了硅通孔的可靠性。

主权项

1.一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，采用一具有硅通孔的半导体衬底，其特征在于，还包括：步骤S01：采用带偏压的物理气相沉积工艺向所述硅通孔中进行第一次籽晶层淀积过程，在所述硅通孔中及其顶部外表面形成第一籽晶层；步骤S02：对所述第一籽晶层进行回流过程，形成具有光滑表面的第一籽晶层；回流过程中，采用的气体为H2、He、和NH3；步骤S03：采用带偏压的物理气相沉积工艺向所述硅通孔中进行第二次籽晶层淀积过程，在所述第一籽晶层表面形成第二籽晶层；其中，第二次籽晶层淀积过程采用氩气作为反应气体，直流功率为40‑90KW，偏压功率0‑500W，淀积时间为10‑30sec。