[发明专利]一种凹形双电极积成芯片高压陶瓷电容器及制造工艺有效

专利信息
申请号: 201410428659.7 申请日: 2014-08-28
公开(公告)号: CN104167290A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 史宝林;范垂旭;于金龙 申请(专利权)人: 鞍山奇发电子陶瓷科技有限公司
主分类号: H01G4/002 分类号: H01G4/002;H01G4/12
代理公司: 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 代理人: 张群
地址: 114014 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种凹形双电极积成芯片高压陶瓷电容器及制造工艺。其整体形状为中心对称的凹碟形,即中心为圆盘形,外部为圆环形,外部圆环形的厚度大于中心圆盘形的厚度,圆环形芯片表面设有外电极,圆盘形芯片表面设有内电极,内电极与引线焊接,树脂包封层将内、外电极和瓷介质芯片包覆在里面。所述电容器的制备过程包括双电极凹形铜电极芯片制作、焊接引线、涂覆、打印及测试。本发明有效提高了标称电容量和耐压强度,有效化解了两者之间的矛盾,在保证电容器大容量、高耐电强度的前提下,大大缩小了电容器体积,适应了电子整机小型化的需求。
搜索关键词: 一种 凹形 电极 芯片 高压 陶瓷 电容器 制造 工艺
【主权项】:
一种凹形双电极积成芯片高压陶瓷电容器,包括树脂包封层、电极层、瓷介质芯片及引线,其特征在于,整体形状为中心对称的凹碟形,即中心为圆盘形,外部为圆环形,外部圆环形的厚度大于中心圆盘形的厚度,圆环形芯片表面设有外电极,圆盘形芯片表面设有内电极,外电极与内电极为整体的铜电极,内电极与引线焊接,树脂包封层将内、外电极和瓷介质芯片包覆在里面。
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