[发明专利]一种提高微粒检测能力的方法在审

专利信息
申请号: 201410428694.9 申请日: 2014-08-27
公开(公告)号: CN104181168A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 钟斌;雷通;易海兰 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01N21/94 分类号: G01N21/94
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种提高微粒检测能力的方法,通过在被检测硅片上沉积一层氮化物薄膜,将附着在硅片表面上的小于最小缺陷检测尺寸的微粒尺寸放大至少达到最小缺陷检测尺寸,并利用氮化物的致密特征,使疏松微粒具有致密、光滑的被检测表面,改善了疏松微粒的表面检测形貌,增强了在疏松微粒处对入射光的反射能力和散射光的集中度,从而在暗场光学缺陷检测时可成功捕捉到疏松微粒以及小于最小缺陷检测尺寸的微粒的缺陷信号,因此提高了暗场光学缺陷检测时对小尺寸微粒及疏松微粒的检测能力。
搜索关键词: 一种 提高 微粒 检测 能力 方法
【主权项】:
一种提高微粒检测能力的方法,用于对微粒进行暗场光学缺陷检测,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:提供一半导体硅片,所述硅片表面附着有微粒,所述微粒包括疏松微粒和/或小于暗场光学缺陷检测的最小缺陷检测尺寸的微粒;步骤二:在所述硅片上沉积一层氮化物薄膜,所述氮化物薄膜将附着在所述硅片表面的所述微粒覆盖并包裹,以放大所述微粒在暗场光学缺陷检测时的检测尺寸至少达到所述最小缺陷检测尺寸,并使微粒表面具有所述氮化物的表面检测形貌;步骤三:对所述硅片进行针对表面微粒的暗场光学缺陷检测。
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