[发明专利]单电感正负电压输出装置有效
申请号: | 201410429174.X | 申请日: | 2014-08-27 |
公开(公告)号: | CN104158399B | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 于翔 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 100048 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 单电感正负电压输出装置,既减小芯片面积,又能够满足正负压输出负载电流相互独立的应用需求,其特征在于,包括一个电感,所述电感的一端分别连接第一PMOS功率开关管M1的漏极和第三NMOS功率开关管M3的漏极,所述电感的另一端分别连接第二NMOS功率开关管M2的漏极和第四PMOS功率开关管M4的源极,M1、M2、M3和M4的栅极均分别连接驱动电路,所述M1的源极连接电源端,所述M2的源极连接接地端,所述M3的源极连接负电压输出端,所述M4的漏极连接正电压输出端,所述负电压输出端通过负端电容接地,所述正电压输出端通过正端电容接地,所述正电压输出端通过正端反馈电路和所述负电压输出端通过负端反馈电路分别通过所述逻辑控制电路连接所述驱动电路。 | ||
搜索关键词: | 电感 正负 电压 输出 装置 | ||
【主权项】:
单电感正负电压输出装置,其特征在于,包括一个电感,所述电感的一端分别连接第一PMOS功率开关管的漏极和第三NMOS功率开关管的漏极,所述电感的另一端分别连接第二NMOS功率开关管的漏极和第四PMOS功率开关管的源极,所述第一PMOS功率开关管、第二NMOS功率开关管、第三NMOS功率开关管和第四PMOS功率开关管的栅极均分别连接驱动电路,所述第一PMOS功率开关管的源极连接电源端,所述第二NMOS功率开关管的源极连接接地端,所述第三NMOS功率开关管的源极连接负电压输出端,所述第四PMOS功率开关管的漏极连接正电压输出端,所述负电压输出端通过负端电容接地,所述正电压输出端通过正端电容接地,所述正电压输出端通过正端反馈电路连接逻辑控制电路,所述负电压输出端通过负端反馈电路连接所述逻辑控制电路,所述逻辑控制电路连接所述驱动电路;所述正端反馈电路包括第一放大器,所述正电压输出端连接所述第一放大器的负向端,所述第一放大器的正向端连接参考电压端,所述负端反馈电路包括第二放大器,所述负电压输出端连接所述第二放大器的正向端,所述第二放大器的负向端接地,所述第一放大器的输出端和所述第二放大器的输出端分别连接反馈控制电压高低选择电路;所述反馈控制电压高低选择电路连接第一比较器的负向端以传输较高电压,所述反馈控制电压高低选择电路连接第二比较器的正向端以传输较低电压,所述第一比较器的正向端连接所述第二比较器的负向端,所述反馈控制电压高低选择电路与所述逻辑控制电路连接。
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