[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201410429498.3 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104425617B | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 竹胁利至;宫本广信 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 改进氮化物半导体材料制成的功率MISFET的可靠性。应变松弛膜布置在聚酰亚胺膜和栅极电极之间，以抑制从聚酰亚胺膜施加在电子供给层上的应力，并抑制在电子供给层和沟道层中产生的应力应变。作为结果，抑制沟道层中的沟道电子浓度的变化，以防止功率MISFET的阈值电压或通态电阻波动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：氮化物半导体层；栅极电极，通过第一绝缘膜形成在有源区域的所述氮化物半导体层之上，并且在第一方向上延伸；第二绝缘膜，形成为覆盖所述栅极电极；第一接触孔，在所述栅极电极的一侧上与所述栅极电极间隔开，形成在所述第二绝缘膜之上，并且在所述第一方向上延伸；第二接触孔，在所述栅极电极的另一侧上与所述栅极电极间隔开，形成在所述第二绝缘膜之上，并且在所述第一方向上延伸；源极电极，形成在所述第一接触孔内，并且电连接到所述氮化物半导体层；漏极电极，形成在所述第二接触孔内，并且电连接到所述氮化物半导体层；应变松弛膜，形成在所述栅极电极上方的所述第二绝缘膜之上；第三绝缘膜，形成为覆盖所述源极电极、所述漏极电极和所述应变松弛膜；以及树脂膜，形成在所述第三绝缘膜之上；其中所述栅极电极包括第一最外侧侧壁和与所述第一最外侧侧壁相对的第二最外侧侧壁，并且所述应变松弛膜在所述树脂膜与所述第一最外侧侧壁和所述第二最外侧侧壁之间形成。
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