[发明专利]具低介电常数绝缘材料的三维存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具低介电常数绝缘材料的三维存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括多个叠层，各叠层包括交替叠置的多个导电条和多个绝缘条。绝缘条中至少一者包括具有介电常数等于或小于3.6的绝缘材料。导电材料的多个结构是正交地排列于叠层上。存储器元件是配置于交叉点的界面区内，交叉点位于结构与叠层的侧面之间。绝缘条可以具有实质上大于各自物理厚度的等效氧化层厚度EOT(Equivalent Oxide Thicknesses，EOT)。EOT可以大于各自的物理厚度至少10％。绝缘条中至少一者实质上可以由具有介电常数等于或小于3.6的绝缘材料组成。

主权项

1.一种存储器装置，包括：多个叠层，各该叠层包括交替叠置的多个导电条和多个绝缘条，这些绝缘条中的至少一者包括一绝缘材料，该绝缘材料具有等于或小于3.6的一介电常数；一导电材料的多个结构，这些结构是正交地排列于这些叠层上；以及多个存储器元件，位于多个交叉点的多个界面区内，这些交叉点位于这些叠层的侧面以及这些结构之间；其中，这些绝缘条具有等效氧化层厚度EOT，这些等效氧化层厚度EOT大于其各自的物理厚度。