[发明专利]半导体器件及其编程方法有效
| 申请号： | 201410429712.5 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104916324B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 金世峻;卓在日;朴景焕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：电耦接的多个存储器单元，成大体垂直的构型，从半导体衬底起在基本垂直的方向上延伸；外围电路，被配置成编程所述存储器单元；以及控制电路，被配置成：编程从所述多个存储器单元中选出的存储器单元以将电荷俘获在选中的存储器单元中，以及向外围电路发出至少一个命令以管理俘获电荷的至少一部分在与选中的存储器单元相邻的存储器单元之间的分散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n电耦接的多个存储器单元，成垂直的构型，从半导体衬底起在垂直的方向上延伸；/n外围电路，被配置成编程所述多个存储器单元；以及/n控制电路，被配置成：编程从所述多个存储器单元中选出的存储器单元以将电荷俘获在选中的存储器单元中，以及向外围电路发出至少一个命令以将俘获在所述选中的存储器单元中的电荷分散在介于所述选中的存储器单元和与所述选中的存储器单元相邻的存储器单元之间的区域中。/n
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