[发明专利]采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件有效
| 申请号： | 201410430928.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104269436B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王向展;张易;邹淅;刘葳;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙)51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体。本发明针对现有技术中，传统的LDMOS器件中提高击穿电压与降低导通电阻等之间存在矛盾的问题，提供采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底，半导体衬底上形成沟道掺杂区、漂移区、源区及漏区，源区和漂移区之间的沟道掺杂区的表面上生长栅氧化层，栅氧化层上生长栅，漂移区至少覆盖有向漂移区引入应力的本征应变膜二，所述沟道掺杂区至少覆盖有向沟道掺杂区引入应力的本征应变膜一。通过向沟道区引及漂移区引入张应力或压应力，达到使沟道区和漂移区载流子的迁移率得到大幅提升的效果。适用于横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 性质 应变 ldmos 器件 | ||
【主权项】：
采用两种性质的本征应变膜的应变LDMOS器件，包括半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上形成沟道掺杂区(2)、漂移区(3)、源区(4)及漏区(5)，源区(4)和漂移区(3)之间的沟道掺杂区(2)的表面上生长有栅氧化层(6)，栅氧化层(6)上生长有栅(7)，所述栅(7)靠近源区(4)的一侧设置有侧墙(8)，其特征在于，所述源区(4)表面至少覆盖有本征应变膜一(10)，所述漂移区(3)表面至少覆盖有与本征应变膜一(10)性质相反的本征应变膜二(11)。
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