[发明专利]高电子迁移率晶体管制作方法在审
| 申请号： | 201410431329.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105374678A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 梁永齐;伽内什·萨姆德拉;黄火林 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区新国大研究院;新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黄晓庆;王程 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管制作方法，包括步骤：在制作了源、漏欧姆接触电极的基异质结材料整体表面沉积半导体钝化层材料后，刻蚀形成刻蚀深度小于设定深度阈值的浅凹栅槽，并对浅凹栅槽底部表面进行低功率氟基等离子体处理；在低功率氟基等离子体处理后的基异质结材料整体表面沉积至少一层高介电常数栅极介质层，并在每次沉积高介电常数栅极介质层后进行低功率氟基等离子体处理；在沉积了至少一层高介电常数栅极介质层的基异质结材料表面沉积高介电常数栅极介质层后，淀积栅金属形成凹栅及第一场板；制作第二场板，制作源、漏欧姆接触引线及焊盘。本发明实施例的方案实现了常闭型高电子迁移率晶体管，大幅提升阈值电压，且保证了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管制作方法，其特征在于，包括步骤：在制作了源、漏欧姆接触电极的基异质结材料整体表面沉积半导体钝化层材料后，刻蚀形成刻蚀深度小于设定深度阈值的浅凹栅槽，并对浅凹栅槽底部表面进行低功率氟基等离子体处理；在低功率氟基等离子体处理后的基异质结材料整体表面沉积至少一层高介电常数栅极介质层，并在每次沉积高介电常数栅极介质层后进行低功率氟基等离子体处理；在沉积了至少一层高介电常数栅极介质层的基异质结材料表面沉积高介电常数栅极介质层后，淀积栅金属形成凹栅及第一场板；制作第二场板，制作源、漏欧姆接触引线及焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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