[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410432180.0 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105448726B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;郑喆 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构；形成覆盖鳍部以及栅极结构的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成掩膜层，掩膜层中具有暴露出栅极结构两侧的鳍部表面的刻蚀停止层表面的第一开口；沿第一开口刻蚀所述刻蚀停止层，在刻蚀停止层中形成第二开口，所述第二开口底部暴露的鳍部中残留有刻蚀过程中进入的杂质元素；对第二开口底部暴露的鳍部进行第一去杂质元素处理，去除第二开口暴露的鳍部中残留的杂质元素；沿第二开口回刻蚀去除部分鳍部，在鳍部中形成凹槽；形成填充满凹槽中的应力源/漏区。本发明方法提高形成的应力源/漏区的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 刻蚀停止层 开口 杂质元素 栅极结构 鳍式场效应晶体管 暴露 掩膜层 应力源 衬底 漏区 去除 半导体 残留 刻蚀过程 回刻蚀 侧壁 覆盖 刻蚀 横跨 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构；形成覆盖所述鳍部的侧壁和顶部表面以及栅极结构侧壁和顶部表面的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成掩膜层，所述掩膜层中具有第一开口，所述第一开口暴露出栅极结构两侧的鳍部表面的刻蚀停止层；沿第一开口刻蚀所述刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层中形成暴露出鳍部顶部表面的第二开口，所述第二开口底部暴露的鳍部中残留有刻蚀过程中进入的杂质元素；对第二开口底部暴露的鳍部进行第一去杂质元素处理，去除第二开口暴露的鳍部中残留的杂质元素；沿第二开口回刻蚀去除部分鳍部，在鳍部中形成凹槽；形成填充满凹槽中的应力源/漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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