[发明专利]一种麦克风结构的形成方法

摘要

一种麦克风结构及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面；位于所述衬底的第一表面的电容结构；位于所述衬底内的背腔，所述衬底的第二表面暴露出所述背腔的顶部，所述背腔的底部暴露出所述电容结构，所述背腔包括位于所述电容结构表面的第一开口、以及位于所述第一开口顶部的第二开口，所述第二开口底部暴露出所述第一开口，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸。所述麦克风结构的灵敏度提高。

主权项

1.一种麦克风结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有第一表面、以及与第一表面相对的第二表面；在所述衬底的第一表面形成电容结构；在所述衬底的第二表面形成背腔，所述背腔的底部暴露出所述电容结构，所述背腔包括位于所述电容结构表面的第一开口、以及位于所述第一开口顶部的第二开口，所述第二开口底部暴露出所述第一开口，所述第一开口的侧壁垂直于所述衬底的第二表面，且所述第二开口的顶部尺寸大于所述第一开口的顶部尺寸和底部尺寸；当所述第二开口的侧壁垂直于所述衬底的第二表面，所述背腔的侧壁呈阶梯状，所述背腔的形成工艺包括：在衬底的第二表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出部分衬底的第二表面，且所述第三掩膜层暴露出与第一开口顶部的位置和形状一致的区域；在所述第三掩膜层表面形成第四掩膜层，所述第四掩膜层暴露出部分第三掩膜层的表面和衬底第二表面，且所述第四掩膜层暴露出与第二开口顶部的位置和形状一致的区域，所述第四掩膜层的厚度大于第三掩膜层的厚度；以所述第四掩膜层和第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述衬底，直至所述第四掩膜层暴露出的部分第三掩膜层被去除为止，暴露出部分衬底的第二表面，在衬底内形成第三开口；以所述第四掩膜层为掩膜，刻蚀所暴露出的部分衬底以及第三开口底部，直至暴露出电容结构的表面为止，由第三开口底部刻蚀形成第一开口，由暴露出的部分衬底刻蚀形成第二开口；当所述第二开口的侧壁相对于衬底的第二表面倾斜，所述第二开口的侧壁与第一开口的侧壁相连接，且所述第二开口的顶部尺寸大于底部尺寸，所述背腔的形成工艺包括：在衬底的第二表面形成第五掩膜层，所述第五掩膜层暴露出部分衬底的第二表面，且所述第五掩膜层暴露出与第二开口顶部的位置和形成一致的区域；以所述第五掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成第二开口，所述第二开口的侧壁相对于衬底的第二表面倾斜，且所述第二开口的顶部尺寸大于底部尺寸；以所述第五掩膜层为掩膜，采用第二刻蚀工艺刻蚀所述第二开口的底部，直至暴露出电容结构为止，在第二开口的底部形成第一开口。