[发明专利]晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410432202.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105374750B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴圳添;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个有源区和位于相邻有源区之间的隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述有源区；在形成所述栅极结构之后，采用能够钝化所述隔离结构的离子对所述隔离结构进行离子注入；在进行所述离子注入后，在所述栅极结构两侧的有源区内形成凹槽；在所述凹槽内形成应力衬垫层。所述形成方法形成的晶体管性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括多个有源区和位于相邻有源区之间的隔离结构；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述有源区；在形成所述栅极结构之后，采用能够钝化所述隔离结构的离子对所述隔离结构进行离子注入，隔离结构与注入的离子反应后，在后续的清洗步骤中，清洗溶液对隔离结构的刻蚀速率降低；在进行所述离子注入后，在所述栅极结构两侧的有源区内形成凹槽；在形成凹槽后，形成应力衬垫层前，对凹槽进行清洗处理，隔离结构的部分会在清洗处理的过程中被刻蚀；在所述凹槽内形成应力衬垫层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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