[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，即使在利用排气缓冲室进行气体排气的情况下，也能够充分且良好地进行对于该排气缓冲室内的清洁处理。构成了一种衬底处理装置，其具有处理空间，对载置在衬底载置面上的衬底进行处理；气体供给系统，从与衬底载置面相对的一侧向处理空间内供给气体；排气缓冲室，具有以包围处理空间的侧方外周的方式设置的空间，且以使被供给到处理空间内的气体流入空间内的方式构成；气体排气系统，对流入到排气缓冲室内的气体进行排气；清洁气体供给管，与构成排气缓冲室的空间连通且向排气缓冲室内供给清洁气体。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理空间，对载置在衬底载置面上的衬底进行处理；处理空间气体供给系统，从与所述衬底载置面相对的一侧向所述处理空间内供给处理气体或非活性气体；排气缓冲室，至少具有连通孔及气流阻挡壁，所述连通孔在所述处理空间的侧方与所述处理空间连通，所述气流阻挡壁在阻挡从所述连通孔通过的气体的流动的方向延伸；气体排气系统，对流入到所述排气缓冲室内的气体进行排气；排气缓冲室清洁气体供给系统，具有清洁气体供给管，从设置在所述连通孔和所述气流阻挡壁之间的连接位置向所述排气缓冲室内供给清洁气体；和控制器，以下述方式控制所述处理空间气体供给系统和所述排气缓冲室清洁气体供给系统：在从所述清洁气体供给管向所述排气缓冲室供给清洁气体期间，以所述清洁气体不侵入所述处理空间的方式从所述处理空间气体供给系统向所述处理空间供给所述非活性气体。