[发明专利]一种利用前端模块为晶圆加热的装置及方法在审
申请号: | 201410432333.1 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN104269368A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;姜崴;陈英男 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种利用前端模块为晶圆加热的装置及方法,主要解决现有的晶圆加热方法及加热结构因加热时间及加热温度无法满足要求而带来的成膜质量不好或产能降低等问题。本发明通过增加一个可加热的真空装载室,真空装载室可安装在设备前端模块内部或设备前端模块的装载港位置,在沉积反应前对晶圆进行预加热,当晶圆温度满足要求时,再将晶圆送入反应腔进行沉积反应。通过两层金属基板内部夹装硅胶加热片的结构形式,体积小、重量轻,工艺简单,重复利用率高,适用性强,节约成本。可广泛应用于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 前端 模块 加热 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种利用前端模块为晶圆加热的装置,其特征在于:该装置采用在设备前端模块内部或设备前端模块的装载港位置上挂载预热腔室,可根据不同工艺流程要求挂载单片预热腔室或多片热腔室或带有不同升降结构或具有加热功能的预热腔室,加热方式采用两层金属基板内部夹装硅胶加热片的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造