[发明专利]一种湿法腐蚀装置及其使用方法有效
申请号: | 201410432543.0 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN104201135B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 陈敏;马清杰 | 申请(专利权)人: | 中航(重庆)微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 401331 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种湿法腐蚀装置,所述湿法腐蚀装置包括基座、衬垫和真空发生装置,所述基座内设有与所述真空发生装置相连通的气流通道,所述衬底内设有凹槽,凹槽底部设有与所述气流通道相连通且一一对应的通孔,所述凹槽底部的边缘设有与晶圆边缘弧形区域相吻合的弧形坡面。所述湿法腐蚀装置可以实现对整个所述晶圆背面的腐蚀;可以使得整个所述晶圆的正面与所述衬垫紧密贴合,防止腐蚀液渗入至所述晶圆的正面,有效地保护所述晶圆的正面不与所述腐蚀液相接触;结构简单,操作方便,且制造成本低廉,可以重复使用,大大降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 湿法 腐蚀 装置 及其 使用方法 | ||
【主权项】:
一种湿法腐蚀装置,适于对晶圆进行单面腐蚀,所述晶圆具有待腐蚀的背面和需要保护的正面,其特征在于,所述湿法腐蚀装置包括:基座、衬垫和真空发生装置;所述基座内沿轴向设有第一气流通道,所述第一气流通道连通所述基座的上表面;所述第一气流通道与所述真空发生装置相连接;所述衬垫位于所述基座的上表面,所述衬垫内设有凹槽,所述凹槽底部的直径大于或等于所述晶圆的直径;所述凹槽底部设有通孔区域,所述通孔区域的直径小于所述晶圆的直径;所述通孔区域内设有与所述第一气流通道相连通的通孔,所述通孔与所述第一气流通道上下对应;所述晶圆正面的边缘区域为弧形区域,所述凹槽底部的直径等于所述晶圆的直径,且所述凹槽底部的边缘区域为弧形坡面,所述弧形坡面与所述弧形区域相吻合,以使得所述晶圆位于所述凹槽底部时,所述晶圆的边缘与所述凹槽底部的边缘完全贴合在一起。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中航(重庆)微电子有限公司,未经中航(重庆)微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410432543.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造