[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201410432842.4 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104425574B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 樽井阳一郎;今泉昌之;油谷直毅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由于在肖特基电极的外周端处存在的前端尖锐形状的蚀刻残渣，易于在SBD高频开关动作时由于位移电流而在上述残渣部处引起电场集中。本发明的碳化硅半导体装置具有：第1导电型的漂移层(1b)；在漂移层(1b)中形成的第2导电型的保护环区域(2)；以将保护环区域(2)包围的方式形成的场绝缘膜(3)；肖特基电极(4)，其以在保护环区域(2)的内侧将在表面露出的漂移层(1b)和保护环区域(2)覆盖的方式形成，其外周端存在于场绝缘膜(3)上；以及在肖特基电极(4)上形成的表面电极焊盘(5)，表面电极焊盘(5)的外周端越过肖特基电极(4)的外周端而与所述场绝缘膜(3)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的漂移层；保护环区域，其在所述漂移层中从所述漂移层的一侧的表面形成，呈环状，并包含有第2导电型的杂质；场绝缘膜，其在所述一侧的表面上，以将所述保护环区域包围的方式形成；肖特基电极，其以在所述保护环区域的内侧将在所述一侧的表面露出的所述漂移层和所述保护环区域覆盖的方式形成，该肖特基电极的外周端存在于所述场绝缘膜上；以及表面电极焊盘，其形成在所述肖特基电极上，所述表面电极焊盘的外周端越过所述肖特基电极的外周端而与所述场绝缘膜接触，所述表面电极焊盘将所述肖特基电极的外周端处的前端尖锐的蚀刻残渣覆盖，在所述保护环区域之中形成有第2导电型的高浓度区域，该第2导电型的高浓度区域从所述保护环区域的一侧的表面形成，且具有比所述保护环区域更高的杂质浓度。
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