[发明专利]氮化物系晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410433051.3 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN104425618A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 竹谷元伸;李宽铉;金恩熙 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;韩明花 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化物系晶体管及其制造方法。根据一实施例的氮化物系晶体管的制造方法中，在生长基板上依次形成掺杂为第一型的氮化物系第一半导体层、掺杂为第二型的氮化物系第二半导体层、掺杂为第一型的氮化物系第三半导体层。形成从所述第三半导体层延伸到所述第一半导体层内部的第一沟槽。形成填充所述第一沟槽的掺杂为第一型的氮化物系第四半导体层。在所述第四半导体层的内部形成第二沟槽。在所述第二沟槽内部形成栅电极。形成与所述第三半导体层或所述第四半导体层电连接的源电极。形成与所述第一半导体层电连接的漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系晶体管的制造方法，包括如下步骤：(a)在生长基板上依次形成掺杂为第一型的氮化物系第一半导体层、掺杂为第二型的氮化物系第二半导体层以及掺杂为第一型的氮化物系第三半导体层；(b)形成从所述第三半导体层延伸至所述第一半导体层的内部的第一沟槽；(c)形成填充所述第一沟槽的掺杂为第一型的氮化物系第四半导体层；(d)在所述第四半导体层的内部形成第二沟槽；(e)在所述第二沟槽内部形成栅电极；(f)形成与所述第三半导体层和所述第四半导体层中的至少一个电连接的源电极；(g)形成与所述第一半导体层电连接的漏电极。
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