[发明专利]一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构及集成方法在审
| 申请号： | 201410433978.7 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104269395A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;刘晓勇;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及使用一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构及集成方法。本发明的铜互连的结构包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有多孔低介电常数介质；在绝缘体支撑结构之间也有多孔低介电常数介质。采用铜互连与气隙结合起来降低电容，用特定支撑结构来支撑铜导线以在去除介质后维持铜导线的形状。本发明可以实现全气隙结构而不使铜导线短路或断路并且可实现较长导线的全气隙结构，使RC延迟减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 介质 刻蚀 互连 结构 集成 方法 | ||
【主权项】：
一种低介电常数介质刻蚀与铜互连的结构，其特征在于，包括至少一条金属导线，以及位于所述金属导线之下的绝缘体支撑结构；并且，在多条金属导线之间有多孔低介电常数介质；在绝缘体支撑结构之间也有多孔低介电常数介质。
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