[发明专利]密封的半导体器件在审
| 申请号： | 201410434100.5 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104425402A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | K.侯赛因;J.马勒;I.尼基廷 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;徐红燕 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及密封的半导体器件。半导体器件包含载体和安放在载体之上的半导体芯片。半导体芯片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中第二表面面对载体。进一步地，半导体器件包含至少部分地覆盖半导体芯片的第二表面且至少部分地覆盖半导体芯片的侧壁表面的预密封剂。预密封剂具有等于或大于10W/（m·K）的热导率以及等于或大于0.2J/（g·K）的比热容。 | ||
| 搜索关键词： | 密封 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：载体；半导体芯片，安放在所述载体之上，其中所述半导体芯片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且其中所述第二表面面对所述载体；预密封剂，至少部分地覆盖所述半导体芯片的所述第二表面并且至少部分地覆盖所述半导体芯片的侧壁表面，其中所述预密封剂包括等于或大于10W/（m·K）的热导率以及等于或大于0.2J/（g·K）的比热容。
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