[发明专利]无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器有效
申请号: | 201410435033.9 | 申请日: | 2014-08-30 |
公开(公告)号: | CN104158085B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 王云才;张明江;王安帮;张建忠;刘慧;赵彤 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | H01S5/10 | 分类号: | H01S5/10;H01S5/068 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030024 *** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及半导体激光器,具体是一种无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器。本发明解决了现有半导体激光器所产生的混沌激光带有时延特征、信号带宽窄、频谱不平坦的问题。无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器,包括芯片衬底、光波导、掺铒的无源光波导、左分布式反馈半导体激光芯片、无隔离双向放大的半导体光放大芯片、右分布式反馈半导体激光芯片、高速光电探测芯片。本发明适用于混沌同步与保密光通信、高速随机数密钥生成、激光雷达、光纤网络故障检测、超宽带技术以及分布式光纤传感等领域。 | ||
搜索关键词: | 无时 频谱 平坦 宽带 光子 集成 混沌 半导体激光器 | ||
【主权项】:
一种无时延、频谱平坦、宽带光子集成混沌半导体激光器,其特征在于:包括芯片衬底(1)、光波导(2)、掺铒的无源光波导(3)、左分布式反馈半导体激光芯片(4)、无隔离双向放大的半导体光放大芯片(5)、右分布式反馈半导体激光芯片(6)、高速光电探测芯片(7);其中,左分布式反馈半导体激光芯片(4)、无隔离双向放大的半导体光放大芯片(5)、高速光电探测芯片(7)均固定于芯片衬底(1)的上表面左部;右分布式反馈半导体激光芯片(6)固定于芯片衬底(1)的上表面右部;左分布式反馈半导体激光芯片(4)的右端通过光波导(2)与无隔离双向放大的半导体光放大芯片(5)的左端连接;无隔离双向放大的半导体光放大芯片(5)的右端通过掺铒的无源光波导(3)与右分布式反馈半导体激光芯片(6)的左端连接;左分布式反馈半导体激光芯片(4)的左端分为两路,一路通过光波导(2)与高速光电探测芯片(7)的输入端连接,另一路通过光波导(2)直接输出。
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