[发明专利]一种快速低功耗晶振起振电路

摘要

本发明公开了一种快速低功耗晶振起振电路及其实现方法，所述的低功耗晶振起振电路包括偏置电路、起振放大器和自动增益控制电路。本电路实时监控晶振的振幅并通过自动增益控制电路动态调整流过起振放大器的电流，当晶振还没有起振或者振幅比较小时，控制比较大的电流流过起振放大器，实现让晶振快速启动；随着晶振振幅的变大，自动增益控制电路逐渐减小流过起振放大器的电流，从而让晶振快速启动的同时实现了低的功耗。

主权项

一种快速低功耗晶振起振电路，其特征在于：它包括偏置电路、自动增益控制电路和起振放大器，其中偏置电路由PMOS管M4，PMOS管M5，PMOS管M6，PMOS管M7，电阻R3组成；自动增益控制电路包括电容C1，NMOS管M1，NMOS管M3，电阻R1；起振放大器包括NMOS管M2和电阻R2；NMOS管M1的栅极接电阻R1的一端，源极接地GND，漏极接电阻R1的另一端；NMOS管M2的栅极接输入端XI，源极接地GND，漏极接输出端XO；NMOS管M3的栅极接NMOS管M1的漏极，源极接电阻R3的一端，漏极接PMOS管M6的漏极；PMOS管M4的栅极接偏置电压输入端Vbias，源极接电源VDD，漏极接NMOS管M1的漏极；PMOS管M5的栅极接NMOS管M3的漏极，源极接电源VDD，漏极接NMOS管M1的漏极；PMOS管M6的栅极和漏极短接并接到NMOS管M3的漏极，源极接电源VDD；PMOS管M7的栅极接PMOS管M5的栅极，源极接电源VDD，漏极接输出端XO；电阻R1的一端接NMOS管M1的栅极，另一端接NMOS管M1的漏极；电阻R2的一端接输入端XI，另一端接输出端XO；电阻R3的一端接NMOS管M3源极，另一端接地GND；电容C1的一端接NMOS管M1的栅极，另一端接NMOS管M2的栅极。