[发明专利]三维NAND存储器的制造方法有效
| 申请号： | 201410436905.3 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN104167392B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 王晶;高晶;肖胜安;冉春明 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种三维NAND存储器的制造方法。该方法包括提供半导体基底；在所述半导体基底上形成多层层叠结构，所述层叠结构包括第一材料层和第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出半导体基底；在所述通孔中形成无定型硅层；刻蚀所述层叠结构以打开字线开口；去除层叠结构中的第二材料层，暴露出无定型硅层侧壁；在第一材料层表面和暴露出的无定型硅层侧壁进行ONO层的沉积；以及进行退火处理。本发明中直到ONO层沉积后才进行退火工艺，保证了ONO层沉积时无定型硅层表面的平滑，从而使得ONO层质量提高，进而改善了制得的三维NAND存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 nand 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维NAND存储器的制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成多层层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的第一材料层和第二材料层；刻蚀所述层叠结构形成通孔，暴露出半导体基底；在所述通孔中形成无定型硅层；刻蚀所述层叠结构以打开字线开口；去除层叠结构中的第二材料层，暴露出无定型硅层侧壁；在第一材料层表面和暴露出的无定型硅层侧壁进行ONO层的沉积；以及进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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