[发明专利]一种形成器件正面金属图形的方法有效
| 申请号： | 201410436940.5 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105374697B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈永南;胡守时 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 汪洋,高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成器件正面金属图形的方法，包括形成器件内部互连金属层；形成覆盖晶圆正面的第一光刻胶层；对第一光刻胶层实施无器件正面金属图形的曝光处理；形成覆盖第一光刻胶层的第二光刻胶层；实施有器件正面金属图形的曝光处理，并对经过所述曝光的区域的自下而上层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理；形成覆盖晶圆正面的器件正面金属层；对晶圆依次实施贴膜处理和揭膜处理，依靠纯物理属性的粘附力将所述光刻胶层以及位于所述光刻胶层上方的器件正面金属层部分一起撕拉掉；对晶圆进行表观检查。根据本发明，可以提高工艺的稳定性，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 器件 正面 金属 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种形成器件正面金属图形的方法，包括：形成器件内部互连金属层；形成覆盖晶圆正面的第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层实施无所述器件正面金属图形的曝光处理；形成覆盖所述第一光刻胶层的第二光刻胶层；实施有所述器件正面金属图形的曝光处理，并对经过所述曝光的区域的自下而上层叠的第一光刻胶层和第二光刻胶层进行显影处理；采用金属蒸发工艺形成覆盖所述晶圆正面的器件正面金属层，所述金属蒸发的温度不高于80℃；对所述晶圆依次实施贴膜处理和揭膜处理，依靠纯物理属性的粘附力将所述光刻胶层以及位于所述光刻胶层上方的器件正面金属层部分一起撕拉掉；对所述晶圆进行表观检查。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
