[发明专利]晶体管及其形成方法

摘要

一种晶体管及其形成方法，其中，晶体管的形成方法，包括：提供包括相邻接的第一区域、第二区域和第三区域的半导体衬底；进行阱区离子注入，在所述半导体衬底内形成阱区；进行沟道区离子注入，在第一区域中的阱区表面内形成第一掺杂区；在所述第一区域的半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖第一区域中的第一掺杂区；进行浅掺杂离子注入，在栅极结构一侧的第二区域的半导体衬底内形成浅掺杂源区，在栅极结构另一侧的第三区域的半导体衬底内形成浅掺杂漏区；在浅掺杂源区上形成抬高源区，在浅掺杂漏区上形成抬高漏区。本发明的方法减小了源区和漏区与沟道区以及衬底之间的寄生电容。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻接的第一区域、第二区域和第三区域，第二区域和第三区域分别位于第一区域的两侧；进行阱区离子注入，在所述第一区域、第二区域和第三区域的半导体衬底内形成阱区；进行沟道区离子注入，只在第一区域中的阱区表面内形成第一掺杂区，第二区域和第三区域的阱区表面内不会被注入杂质离子，所述第一掺杂区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同；在所述第一区域的半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖第一区域中的第一掺杂区；进行浅掺杂离子注入，在栅极结构一侧的第二区域的半导体衬底内形成浅掺杂源区，在栅极结构另一侧的第三区域的半导体衬底内形成浅掺杂漏区，所述浅掺杂源区和浅掺杂漏区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；在浅掺杂源区上形成抬高源区，抬高源区中掺杂有杂质离子，抬高源区的顶部表面高于半导体衬底的表面，所述抬高源区和浅掺杂源区构成源区，在浅掺杂漏区上形成抬高漏区，抬高漏区中掺杂有杂质离子，抬高漏区的顶部表面高于半导体衬底的表面，所述抬高漏区和浅掺杂漏区构成漏区。