[发明专利]显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板有效
申请号: | 201410437838.7 | 申请日: | 2014-08-29 |
公开(公告)号: | CN105047606B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 赵哲熙;辛基泽;林东根;姜芝源 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 显示装置的阵列基板的返工方法和通过其形成的阵列基板。本发明提供了一种返工阵列基板的方法,所述阵列基板包括顺序地形成在其中的栅金属层、栅绝缘层(G1)、半导体层、源/漏金属层、下钝化层、公共电极层、上钝化层以及像素电极层。通过使用在返工所述像素电极层时保护跳接钝化孔区域的返工掩模,所述方法能够甚至在所述像素电极返工工艺之后维持在所述跳接钝化孔区域中的所述公共电极层与所述返工像素电极图案之间的电连接,以从而减少由于所述返工工艺而导致的故障的发生和生产量的减少。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 阵列 返工 方法 通过 形成 | ||
【主权项】:
一种方法,该方法包括以下步骤:形成显示装置,该显示装置包括:在所述显示装置中的公共电压金属线,该公共电压金属线在所述显示装置的下钝化层和上钝化层两者中的第一孔区域之下;公共电极层,该公共电极层在所述显示装置中被形成在所述下钝化层上方并且在所述上钝化层中的第二孔区域之下;以及跳接像素电极图案,该跳接像素电极图案通过所述第二孔区域连接到所述公共电极层并且通过所述第一孔区域连接到所述公共电压金属线;去除所述跳接像素电极图案的一部分,保留在所述上钝化层中的所述第二孔区域中的残余像素电极图案;以及形成将所述公共电压金属线连接到所述残余像素电极图案的返工像素电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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