[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410438307.X | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105448833B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极结构，在伪栅极结构的两侧形成有侧壁结构；在半导体衬底上沉积层间介电层后，去除伪栅极结构，以露出半导体衬底；蚀刻露出的半导体衬底，以形成具有非竖直侧壁轮廓的沟槽；外延生长具有高应力的应力材料层，以部分填充所述沟槽；在所述应力材料层的顶部形成作为沟道的外延层。根据本发明，可以进一步增强作用于器件沟道区的应力，改善沟道区的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 伪栅极结构 半导体器件 电子装置 应力材料 蚀刻 器件沟道区 侧壁结构 竖直侧壁 外延生长 阈值电压 沉积层 高应力 沟道区 介电层 外延层 沟道 去除 填充 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，在所述伪栅极结构的两侧形成有侧壁结构；在所述半导体衬底上沉积层间介电层后，去除所述伪栅极结构，以露出所述半导体衬底；蚀刻所述露出的半导体衬底，以形成具有非竖直侧壁轮廓的沟槽，所述沟槽的剖面形状为倒三角形或者∑状；外延生长具有高应力的应力材料层，以部分填充所述沟槽；在所述应力材料层的顶部形成作为沟道的外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
