[发明专利]含二吡唑并芘的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件有效
| 申请号： | 201410438947.0 | 申请日： | 2014-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104262347B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 尹恩心;林文晶 | 申请（专利权）人： | 上海珂力恩特化学材料有限公司 |
| 主分类号： | C07D487/06 | 分类号： | C07D487/06;C07D519/00;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含二吡唑并芘的蓝光半导体材料及其制备方法和由该材料制成的有机发光器件，解决现有芘类蓝光材料制成的器件光谱在长时间或高电压条件下不稳定的技术问题。本发明提供的含二吡唑并芘的蓝光半导体材料是由二吡唑并芘和含R基团的溴化物反应，生成含有R取代基的二吡唑并芘类衍生物。制得的含二吡唑并芘的蓝光半导体材料具有高的发光效率，高的发光效率表明该化合物可作为发光材料或发光主体材料，尤其是可以作为磷光蓝色主体材料，用于有机电致发光器件中表现出高效率、高亮度、长寿命，具有制造成本较低的优点，降低了有机电致发光器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 吡唑 半导体材料 及其 制备 方法 材料 制成 有机 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种含二吡唑并芘的蓝光半导体材料，其特征在于，所述的含二吡唑并芘的蓝光半导体材料为下述结构式所示的化合物中的一种：
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