[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410439770.6 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104916695A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 小仓常雄;末代知子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够提高破坏耐量的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：第一电极；第二电极；第二导电型的第一半导体区域，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间；第一导电型的第二半导体区域，其设置在所述第一半导体区域与所述第二电极之间；第二导电型的第三半导体区域，其设置在所述第二半导体区域与所述第二电极之间；第一导电型的第四半导体区域及第一导电型的第五半导体区域，其等设置在所述第三半导体区域与所述第二电极之间，沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向交叉的第二方向排列，并且所述第五半导体区域的杂质浓度低于所述第四半导体区域；以及第三电极，其隔着绝缘膜设置在所述第二半导体区域、所述第三半导体区域、所述第四半导体区域、及所述第五半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第一电极；第二电极；第二导电型的第一半导体区域，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间；第一导电型的第二半导体区域，其设置在所述第一半导体区域与所述第二电极之间；第二导电型的第三半导体区域，其设置在所述第二半导体区域与所述第二电极之间；第一导电型的第四半导体区域及第一导电型的第五半导体区域，其等设置在所述第三半导体区域与所述第二电极之间，沿着与从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向交叉的第二方向排列，并且所述第五半导体区域的杂质浓度低于所述第四半导体区域；以及第三电极，其隔着所述绝缘膜设置在所述第二半导体区域、所述第三半导体区域、所述第四半导体区域、及所述第五半导体区域。
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