[发明专利]腔体气流方向可变结构有效
申请号: | 201410440010.7 | 申请日: | 2014-09-01 |
公开(公告)号: | CN104213102A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 吴凤丽;郑旭东;姜崴 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 腔体气流方向可变结构,主要解决现有技术中抽气组件只能提供负压和控制流量,不能实现控制气体流向的技术问题。它包括腔体,腔体的侧面设有气室。上述腔体内的承载面A及承载面B沿腔体轴向上下布置,承载面A上放置大径陶瓷环,小径陶瓷环放置于腔体内的承载面B上。上述气室设有抽气芯,抽气芯由外部提供位移动力,可沿承载面A及承载面B布置方向移动。波纹管的下端与真空泵连接,形成整个系统的真空环境。当抽气芯移动并与抽气口A和排气孔B组合或与抽气口B和排气孔A组合时,由于其排气孔A和排气孔B的孔径大小有差别,进而实现气流的大小、速度、流向的变化。具有结构简单,可靠性高、维护性好、通用性强的特点,可广泛应用于半导体镀膜技术领域。 | ||
搜索关键词: | 气流 方向 可变 结构 | ||
【主权项】:
腔体气流方向可变结构,包括腔体(1),腔体(1)的侧面设有气室,其特征在于:上述腔体(1)内的承载面A(11)及承载面B(12)沿腔体轴向上下布置,承载面A(11)上放置大径陶瓷环(2),小径陶瓷环(3)放置于腔体(1)内的承载面B(12)上,上述气室设有抽气芯(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳拓荆科技有限公司,未经沈阳拓荆科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410440010.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的