[发明专利]一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法

摘要

本发明公开了一种去除较高密度碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法。本发明采用多次蒸胶烧胶的办法，可以使得胶的开口分布在100～200nm，就可以去除密度大于10根/μm的碳纳米管阵列在金属性碳纳米管阵列，从而得到密度较高，大于10根/μm的全半导体碳纳米管阵列；可以将金属性碳纳米管完全去除，得到纯度100％的半导体碳纳米管阵列；获得的半导体碳纳米管电学性能更好，不需要化学修饰碳纳米管，不会引入缺陷，得到的碳纳米管比较干净，所以迁移率更高(可达2000cm2/Vs)，高密度高迁移率使得晶体管开态电流更大，可以制备高性能碳纳米管集成电路。

主权项

一种去除碳纳米管阵列中金属性碳纳米管的方法，包括以下步骤：1)在包含有碳纳米管阵列的基底上蒸镀一层有机薄膜，所述碳纳米管阵列的密度大于10根/μm；2)有机薄膜蒸镀完成后，在金属性碳纳米管上烧出沟槽，所述沟槽的开口为100～200nm；3)继续在烧出沟槽的基底上蒸镀有机薄膜，并重复步骤2)，使沟槽内的有机物薄膜向两侧流动，使得金属性碳纳米管暴露出来；4)刻蚀掉暴露出的金属性碳纳米管。