[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410440321.3 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105374862B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成;侯飞凡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的正面形成第一键合界面层；提供支撑晶圆，在所述支撑晶圆的表面上形成第二键合界面层；对所述支撑晶圆执行氢离子注入，在离所述第二键合界面层有预定深度的区域中形成氢离子注入层；进行键合工艺，将所述器件晶圆的所述第一键合界面层和所述支撑晶圆的所述第二键合界面层相接合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；执行退火处理实现氢脆碎裂解键合，以剥离大部分的所述支撑晶圆；去除剩余所述支撑晶圆。根据本发明的制作方法，无需其它的键合介质，成本低效率高，制程成熟简单，解键合的方法，均匀性好，无需其它工具，制程简单操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆的正面形成第一键合界面层；提供支撑晶圆，在所述支撑晶圆的表面上形成第二键合界面层；对所述支撑晶圆执行氢离子注入，在离所述第二键合界面层有预定深度的区域中形成氢离子注入层；进行键合工艺，将所述器件晶圆的所述第一键合界面层和所述支撑晶圆的所述第二键合界面层相接合；对所述器件晶圆的背面进行减薄；执行退火处理实现氢脆碎裂解键合，以剥离大部分的所述支撑晶圆；去除所述器件晶圆上剩余的所述支撑晶圆。
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