[发明专利]半导体器件

摘要

场极板导致了阻碍高速晶体管切换的过量栅极电容。为了抑制过量栅极电容，开口包括定位在漏极电极一侧的第一侧壁、以及定位在源极电极一侧的第二侧壁。同时，栅极电极包括从俯视图看面对漏极电极的第一侧表面。栅极电极的第一侧表面从平面图看定位在第一侧壁与第二侧壁的内侧。另外，第一场极板的一部分嵌入在第一侧表面与第一侧壁之间。栅极电极与第一场极板通过第一绝缘构件电绝缘。

主权项

一种半导体器件，包括：第一III族氮化物半导体层；第二III族氮化物半导体层，形成在所述第一III族氮化物半导体层之上；绝缘层，包括第一表面、以及经由所述第一表面而面对所述第二III族氮化物半导体层的第二表面，并且所述第二表面包含开口，所述开口的底部至少到达所述第二III族氮化物半导体层的内部；漏极电极和源极电极，电耦合至所述第二III族氮化物半导体层，并且从俯视图看经由所述开口而彼此相互面对；栅极电极，所述栅极电极的至少一部分沿着所述开口的深度方向经由所述开口的底部而面对所述第一III族氮化物半导体层；以及第一场极板，所述第一场极板的至少一部分从俯视图看经由在所述开口与所述漏极电极之间的所述绝缘层而面对所述第二III族氮化物半导体层，其中所述开口包括定位在所述漏极电极一侧的第一侧壁、以及定位在所述源极电极一侧的第二侧壁，其中所述栅极电极包括从俯视图看面对所述漏极电极的第一侧表面，所述第一侧表面从俯视图看定位在所述第一侧壁与所述第二侧壁的内侧，其中所述第一场极板的一部分嵌入在所述第一侧表面与所述第一侧壁之间，以及其中所述栅极电极和所述第一场极板的至少一部分通过从俯视图看定位在所述第一侧壁与所述第二侧壁的内侧的第一绝缘构件而电绝缘。