[发明专利]一种提高外延机台产能的装置与方法

摘要

本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及到一种提高外延机台产能的装置与方法，通过在外延腔体中设置第一基座、第二基座、第三基座和第四基座，硅片在基座中同时进行传入与传出，极大减少了硅片的停留时间，本发明可以有效的提高外延工艺的生产效率，提高产能，另一方面也保正了外延膜淀积的高标准要求。

主权项

1.一种提高外延机台产能的装置，其特征在于，所述装置包括：位于同一外延腔体内的若干第一基座、若干第二基座、若干第三基座和若干第四基座；所述第一基座用于对硅片进行烘烤，所述第二基座与所述第三基座用于对硅片进行外延膜淀积，所述第四基座用于对硅片进行冷却处理；在进行外延工艺时，硅片按第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的路径依次进行对应的工艺处理；所述第一基座、第二基座、第三基座和第四基座的材质均为石墨；所述装置还包括一传送设备，当所述硅片在其中一基座完成工艺处理后，通过所述传送设备将该硅片移至位于该基座的下一基座继续进行后续工艺处理。