[发明专利]等离子刻蚀设备有效
| 申请号： | 201410441419.0 | 申请日： | 2014-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104299881B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 潘无忌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种等离子刻蚀设备，通过在传统的上接地环与基座之间的间隙增设一填隙片，可有效的减少在进行刻蚀工艺时，在上接地环与基座之间的间隙中容易产生的聚合物并掉落至晶圆表面所形成缺陷，进而避免了不必要的清洗过程，提高了生产效率，改善产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子刻蚀设备，其特征在于，所述等离子刻蚀设备包括一圆形的加热装置，所述加热装置下方固定设置有一圆形的喷头，所述加热装置与所述喷头的外侧被一环形的基座所包围；所述基座的正下方设置有一上接地环，位于所述上接地环与所述基座之间设置有一环形的填隙片，利用所述填隙片将所述上接地环与所述基座之间的间隙进行填充。
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