[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410442080.6 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448904B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黄建翔;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L21/50 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，包括基板以及覆晶设置在基板上的发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒包括磊晶结构及设置在磊晶结构上的第一电极及第二电极，所述第一电极及第二电极包覆在保护层内。本发明还涉及这种发光二极管封装结构的制造方法。所述发光二极管晶粒的第一电极及第二电极均包覆在保护层的内部，减小了水、气等对第一电极及第二电极的侵袭，提高了整个发光二极管封装结构的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括：在磊晶结构的一侧表面形成光阻层；去除部分光阻层以形成贯穿光阻层的多个第一沟道；在所述多个第一沟道内填充形成金属层；去除剩余的的光阻层，以在金属层之间形成第二沟道；在所述第二沟道内设置绝缘层，形成发光二极管晶粒，所述金属层分别形成第一电极及第二电极；将所述发光二极管晶粒固定至基板上；在所述发光二极管晶粒的第一电极及第二电极外露的表面形成覆盖第一电极及第二电极的保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410442080.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
