[发明专利]垂直沟道存储器及其制造方法与应用其的操作方法

摘要

一种垂直沟道存储器，包括一衬底、一沟道、一覆盖层、一电荷捕捉层、一第一端及一第二端。沟道凸出于衬底上，覆盖层设置于沟道上，覆盖层与沟道实质上具有相同宽度。电荷捕捉层设置于覆盖层及沟道的两垂直表面上。栅极设置于电荷捕捉层上，并位于沟道的两垂直表面上，第一端及第二端分别相对于栅极位于沟道的两侧上。

主权项

一种垂直沟道存储器，其特征在于，包括：一衬底；一沟道，凸出于该衬底上，其中该沟道的线宽为10nm～60nm之间；一多层结构，设置于该沟道的两垂直表面上以及一顶面上方；其中该多层结构包括一第一氧化物层、一电荷捕捉层和一第二氧化物层，或者该多层结构包括一第一阻挡层于该沟道上，一穿遂层、一第二阻挡层、一电荷捕捉层及一第三阻挡层依序堆栈；一覆盖层，设置于该沟道的该顶面上方，将该顶面上方完全覆盖，并介于所述多层结构与所述沟道之间；一栅极，跨越于该多层结构上，并位于该沟道的两垂直表面上；以及一第一端及一第二端，分别相对于该栅极位于该沟道的两侧上。