[发明专利]一种LDMOS器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410443311.5 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105374686A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有漂移区；在所述半导体衬底上形成栅极材料层，在所述栅极材料层上形成负性光刻胶层；图案化所述负性光刻胶层，以图案化的所述负性光刻胶层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，以形成栅极；在所述半导体衬底和图案化的所述负性光刻胶层上形成具有开口的光刻胶层，所述开口对应预定形成体区的位置；以所述栅极和位于所述栅极上方的所述负性光刻胶层作为自对准层，进行体区注入。根据本发明的制作方法，形成的LDMOS沟道区更短，总尺寸更小，使总的Rdson更低，与传统的NLDMOS相比，其Rdson可以低10％至30％，且不影响击穿电压off-BV，进而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成有漂移区；在所述半导体衬底上形成栅极材料层，在所述栅极材料层上形成负性光刻胶层；图案化所述负性光刻胶层，以图案化的所述负性光刻胶层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，以形成栅极；在所述半导体衬底和图案化的所述负性光刻胶层上形成具有开口的光刻胶层，所述开口对应预定形成体区的位置；以所述栅极和位于所述栅极上方的所述负性光刻胶层作为自对准层，进行体区注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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