[发明专利]一种晶边刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201410443599.6 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104201095A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 周玉;陈俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请一种晶边刻蚀工艺，涉及半导体器件的制备领域，即在采用化学溶液清洗(如高浓度的氢氟酸溶液)晶圆背面金属污染的过程中，通过调整喷洒在晶圆正面保护气体的流量，来控制清洗液与晶圆正面边沿的接触距离，进而在不对晶圆产生负面影响的前提下，实现对晶圆边沿斜边的清洗，以去除经过诸如CVD、PVD、炉管工艺、光刻及刻蚀等工艺后，在晶边上形成的表面粗糙的薄膜结构，有效的降低晶边上薄膜剥落的风险，进而提高半导体器件产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶边刻蚀工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一制备有氧化物薄膜的晶圆；采用清洗溶液对所述晶圆的背面去除金属污染的同时，对所述晶圆的正面进行保护气体喷洒工艺，以保护所述晶圆的正面部分区域不受所述清洗溶液的侵蚀；其中，通过调整喷洒所述保护气体的流量及所述晶圆的转速，以利用所述清洗溶液去除位于所述晶圆晶边的所述氧化物薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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