[发明专利]小尺寸图形的制作方法在审
| 申请号： | 201410443662.6 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104201097A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;李全波;孟祥国 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小尺寸图形的制作方法，先在晶圆表面采用热氧化法生长一层氧化硅，接着沉积一层多晶硅，然后沉积一层氮化硅，通过后续光刻以及刻蚀工艺形成多晶硅线形阵列图形，接着应用LEC工艺对多晶硅线形阵列图形进行曝光和刻蚀，其中，所述小尺寸图形的制作方法还包括：利用低温原子层沉积技术沉积一层氧化硅薄膜；利用干法刻蚀工艺依次对所述氧化硅薄膜、所述含硅抗反射涂层、所述旋涂碳氧化物、所述氮化硅进行刻蚀，最终停在所述多晶硅上；通过等离子体刻蚀工艺祛除所述旋涂碳氧化物残留；最后利用所述氮化硅作为阻挡层刻蚀所述多晶硅，形成小尺寸且可调控的图形结构。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 图形 制作方法 | ||
【主权项】：
一种小尺寸图形的制作方法，先在晶圆表面采用热氧化法生长一层氧化硅，接着沉积一层多晶硅，然后沉积一层氮化硅，通过后续光刻以及刻蚀工艺形成多晶硅线形阵列图形，接着应用LEC工艺对多晶硅线形阵列图形进行曝光和刻蚀，其特征在于，所述小尺寸图形的制作方法还包括：利用低温原子层沉积技术沉积一层氧化硅薄膜；利用干法刻蚀工艺依次对所述氧化硅薄膜、所述含硅抗反射涂层、所述旋涂碳氧化物、所述氮化硅进行刻蚀，最终停在所述多晶硅上；通过等离子体刻蚀工艺祛除所述旋涂碳氧化物残留；最后利用所述氮化硅作为阻挡层刻蚀所述多晶硅，形成小尺寸且可调控的图形结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
