[发明专利]消除浅沟槽隔离凹坑的方法

摘要

一种消除浅沟槽隔离凹坑的方法，包括：对浅沟槽进行填充，并平坦化；对浅沟槽隔离氧化物层进行湿法刻蚀；去除衬垫氮化硅层和衬垫氧化层；在硅基衬底及浅沟槽隔离氧化物之表面沉积多晶硅层；对多晶硅层进行干法刻蚀，在浅沟槽隔离氧化物之两侧形成多晶硅侧墙；沉积掩模氧化物层；进行离子植入，定义有源区；湿法刻蚀去除掩模氧化物层；湿法刻蚀去除所述多晶硅侧墙。本发明通过在浅沟槽隔离氧化物之两侧与有源区的边界处设置多晶硅侧墙，使得在湿法刻蚀去除掩模氧化物层时，保护了所述浅沟槽隔离氧化物与所述有源区的边界处之浅沟槽隔离氧化物不被刻蚀，避免了凹坑的形成。

主权项

一种消除浅沟槽隔离凹坑的方法，其特征在于，所述消除浅沟槽隔离凹坑的方法，包括：执行步骤S1：对浅沟槽隔离之浅沟槽进行浅沟槽隔离氧化物填充，并通过化学机械研磨工艺实现平坦化；执行步骤S2：对经过化学机械研磨之浅沟槽隔离氧化物层进行湿法刻蚀；执行步骤S3：去除形成在硅基衬底上的衬垫氮化硅层和衬垫氧化层；执行步骤S4：在所述硅基衬底及浅沟槽隔离氧化物之表面沉积多晶硅层；执行步骤S5：对所述多晶硅层进行干法刻蚀，仅在所述浅沟槽隔离氧化物之两侧形成多晶硅侧墙；执行步骤S6：在所述硅基衬底上沉积掩模氧化物层；执行步骤S7：以所述掩模氧化物层为掩模进行离子植入，定义有源区；执行步骤S8：湿法刻蚀去除所述掩模氧化物层；执行步骤S9：湿法刻蚀去除所述多晶硅侧墙，获得无凹坑之浅沟槽隔离。