[发明专利]氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构在审
| 申请号： | 201410444172.8 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN104157701A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 李文辉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氧化物半导体TFT基板的制作方法及结构，通过采用氧化物导体层来定义氧化物半导体TFT基板的沟道及源极，由于该氧化物导体层较薄，与现有技术相比，所述沟道的宽度可以制作得较小，并且沟道宽度可以得到准确控制，因此降低了氧化物半导体TFT基板的制程难度，提升了氧化物半导体TFT基板的性能，提高生产良率。本发明制得的氧化物半导体TFT基板结构中，由于氧化物导体层与氧化物半导体层结构组成类似，因此可形成良好的欧姆接触；氧化物半导体层具有较好的爬坡，且氧化物导体层不会给氧化物半导体层造成金属离子污染；由于氧化物导体层是透明的，因此可提高开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 tft 制作方法 结构 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积并图案化第一金属层，形成栅极(2)；步骤2、在所述栅极(2)与基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上形成漏极(4)、源极(5)及氧化物半导体层(6)。
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