[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410444281.X | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104916594A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 田中润 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/58 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是抑制延伸片的挠曲或断裂的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置包括：延伸环；以及调整部，其求出延伸片的张力，并根据所求出的张力而设定晶片环与延伸环的高低差，由此调整延伸片的拉伸力。晶片环包含中空部，在中空部使已贴附在延伸片上的被处理体露出并且固定延伸片。延伸环是以与所述晶片环之间可相对地上下的方式设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造装置，其特征在于包括：延伸环；以及调整部，其求出延伸片的张力，并根据所求出的所述张力而设定晶片环与所述延伸环的高低差，由此调整所述延伸片的拉伸力；且所述晶片环包含中空部，在所述中空部使已贴附在所述延伸片上的被处理体露出并且固定所述延伸片；所述延伸环是以与所述晶片环之间可相对地上下的方式设置在比所述晶片环的内缘更内侧處。
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