[发明专利]硅太阳能电池的背面电极制作方法在审
| 申请号： | 201410444624.2 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104201241A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 蒋旭东;周体;肖剑峰;黄志林 | 申请（专利权）人： | 日地太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 周豪靖 |
| 地址： | 315040 浙江省宁波市高新区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了种太阳能电池的电极制作方法，特别是一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其采用局部腐蚀和点接触方式制作背面电极，具体制作过程为：以矩形阵列形式在硅基体的背表面钝化处理后形成的钝化层上腐蚀出数量众多的腐蚀区域，腐蚀区域的深度为钝化层的厚度；向所有腐蚀区域中填入导电材料；采用银线连接所有相邻的两个腐蚀区域内的导电材料，形成银线网；在钝化层的下表面的两侧区域上分别制作两个点状电极，并连接点状电极与银线网，构成背面电极。其解决了太阳能电池片结构中背面电极与硅片之间欧姆接触良好的技术问题，从而整体上提升了电池片使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 背面 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅太阳能电池的背面电极制作方法，其特征在于采用局部腐蚀和点接触方式制作背面电极，具体制作过程为：①以矩形阵列形式在硅基体的背表面钝化处理后形成的钝化层（1）上腐蚀出数量众多的腐蚀区域（2），腐蚀区域（2）的深度为钝化层（1）的厚度；②向所有腐蚀区域（2）中填入导电材料（3）；③采用银线（4）连接所有相邻的两个腐蚀区域（2）内的导电材料（3），形成银线网；④在钝化层（1）的下表面的两侧区域上分别制作两个点状电极，并连接点状电极与银线网，构成背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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