[发明专利]光致抗蚀组合物、涂覆的基材和形成电子器件的方法在审
| 申请号： | 201410445524.1 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN104330956A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | M·S·奥伯;V·简恩;J·B·艾坦内 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/039;G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
光致抗蚀组合物、涂覆的基材和形成电子器件的方法。提供了一种光致抗蚀剂组合物，包括具有以下结构的重复单元的聚合物。除了该聚合物之外，光致抗蚀剂组合物包括选自光生酸剂、光生碱剂、光引发剂及其组合的光活性组分。 |
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| 搜索关键词： | 光致抗蚀 组合 基材 形成 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包括：包括多个具有以下结构的重复单元的聚合物![]()
其中，R1和R2的每次出现独立地是氢、未取代或取代的C1‑18直链或支链烷基、未取代或取代的C3‑18环烷基、未取代或取代的C6‑18芳基、或未取代或取代的C3‑18杂芳基；并且，R1和R2任选地以共价键彼此键合以形成包括‑R1‑C‑R2‑的环；Ar1、Ar2和Ar3的每次出现独立地是未取代或取代的C6‑18亚芳基，或者未取代或取代的C3‑18杂亚芳基；和，选自光生酸剂、光生碱剂、光引发剂及其组合的光活性组分。
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